随着智能手机行业的不断发展，手机的内置存储空间也从此前的以兆为单位，演变为目前最高256GB，再加上还支持的microSD卡的扩展，在空间上自然也与此前不可同日而语。不过，在以后的三星手机上，你可能看不到microSD卡的身影了。今天，三星方面正式宣布量产业内首款512GB嵌入式UFS闪存，这也意味着很快在手机的内置存储将会高达512GB。
三星方面表示，这款闪存将应用于下一代智能手机，不出意外的话，依然会是三星Galaxy S9系列首发。据了解，该闪存使用的是三星的64层V-NAND芯片，单晶粒大小512Gb(64GB)，8片和主控封装在一起，而目前的消费级市场上，三星所提供的是48层V-NAND，最高256GB UFS的方案。
性能方面，这款512GB的UFS闪存标称连续读取速度860MB/s、写入速度255MB/s，随机读取42000IOPS，写入40000 IOPS，可以在6秒时间就完成一部5GB的高清电影。
再加上此前的二代10nm LPP工艺制程的SoC，也就是Exynos 9810和骁龙845，从目前来看，这款三星Galaxy S9除了会有更高的屏占比之外，还会有最强劲的处理器、最大容量的内存存储，也可以称得上是下一代旗舰机型中黑科技满满的一款机型了。
